반도체 리소그래피용 광원 제조업체인 기가포톤 주식회사는 신기술을 채용한 최신 반도체 제조 ArF 액침용 리소그래피 광원 ‘GT66A’의 양산 출하를 시작했다고 밝혔다.
현재 로직 디바이스로는 3nm 노드의 프로세스 개발을 시작, DRAM으로는 1Znm 노드의 양산을 시작해 최첨단 디바이스를 제조하고 있다. 이러한 초미세 디바이스에서는 웨이퍼에 전사되는 노광 패턴의 러프니스를 저감해야 하고 회로 패턴을 충실히 재현해 양산 수율을 향상하는 것이 중요하다.
신형 ArF 액침용 광원 ‘GT66A’는 새로 개발된 광학 모듈로 펄스 발광 시간을 기존의 3배 이상 늘려 노광면에서의 빔 균일성을 개선했고 러프니스를 저감하는 데 성공했다. 또한 최신 고내구성 부품을 도입해 모듈의 유지 보수 주기를 30% 연장했다.
GT66A는 이번 네덜란드 대기업 ASML사의 최신 ArF 액침 노광 장치 NXT:2050i용 광원으로서 인증이 완료돼 고객을 위한 양산 출하를 시작한다.
기가포톤 대표이사 사장 겸 CEO 우라나카 카츠미는 “최근 반도체 칩에는 통신 속도의 고속화와 더 많은 양의 데이터 처리가 요구되고 있다. 이를 뒷받침하는 주요소는 로직과 메모리 반도체의 미세화며, 더 발전한 리소그래피 기술혁신을 통한 높은 생산성이 요구된다. 기가포톤은 기술 혁신을 통해 이미징 성능을 개선하고 광원의 가용성을 향상해 차세대 산업계 발전에 공헌해 나가겠다”고 말했다.
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